チャネルエピタキシー法によるSi基板上への3C-SiCの結晶成長

• 資料種別: 図書
• タイトル: チャネルエピタキシー法によるSi基板上への3C-SiCの結晶成長
• タイトルよみ: チャネル エピタキシーホウ ニ ヨル Si キバンジョウ エノ 3C-SiC ノ ケッショウ セイチョウ
• 著者・編者: 西野茂弘, 京都工芸繊維大学 [著]
• 著者標目: 西野, 茂弘 ニシノ, シゲヒロ; 京都工芸繊維大学 キョウト コウゲイ センイ ダイガク
• 出版事項: [西野茂弘]
• 出版年月日等: 2001-2002; 2003.3
• 出版年（W3CDTF）: 2001; 2002
• 数量: 3, 83枚
• その他のタイトル: 研究種目 基盤研究(B)
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: ヘテロエピタキシャル成長 / 3C-SiC / 立方晶SiC / 横方向成長 / チャネルエピタキシー / エアーブリッジ構造 / ファセット成長 / ELO ヘテロエピタキシャル セイチョウ / 3C-SiC / リッポウショウ SiC / ヨコホウコウ セイチョウ / チャネルエピタキシー / エアーブリッジ コウゾウ / ファセット セイチョウ / ELO
• NDLC: Y151
• 一般注記: 文部科学省科学研究費補助金研究成果報告書
• 科研費課題番号: 13450012
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Y151-H13450012
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000009278658; http://id.ndl.go.jp/bib/000009278658
• 整理区分コード: 214