AlGaN/GaNヘテロ構造のゲートリーク電流抑制とMBE成長膜の極性制御

国立国会図書館請求記号: Y151-H17560013
国立国会図書館書誌ID: 000009308276

資料種別: 図書

著者: 澤田孝幸, 北海道工業大学 [著]

出版者: [澤田孝幸]

出版年: 2005-2006

資料形態: 紙

ページ数・大きさ等: 120p

NDC: -

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資料に関する注記

一般注記：: 文部科学省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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紙

資料種別: 図書
タイトル: AlGaN/GaNヘテロ構造のゲートリーク電流抑制とMBE成長膜の極性制御
タイトルよみ: AlGaN GaN ヘテロコウゾウノゲートリークデンリュウヨクセイト MBE セイチョウマクノキョクセイセイギョ
著者・編者: 澤田孝幸, 北海道工業大学 [著]
著者標目: 澤田, 孝幸サワダ, タカユキ
北海道工業大学ホッカイドウコウギョウダイガク
出版事項: [澤田孝幸]
出版年月日等: 2005-2006
2007.6
出版年（W3CDTF）: 2005
2006
数量: 120p
その他のタイトル: 研究種目基盤研究(C)
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
件名標目: AlGaN/GaNヘテロ構造 / ショットキーダイオード / ゲートリーク電流 / HEMTデバイス / MBE成長 / I-V特性 / MIS構造 / 界面準位密度 AlGaN/GaN ヘテロコウゾウ / ショットキーダイオード / ゲートリークデンリュウ / HEMT デバイス / MBE セイチョウ / I-V トクセイ / MIS コウゾウ / カイメンジュンイミツド
NDLC: Y151
一般注記: 文部科学省科学研究費補助金研究成果報告書
科研費課題番号: 17560013
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Y151-H17560013
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 000009308276
http://id.ndl.go.jp/bib/000009308276
整理区分コード: 214