AlGaN/GaNヘテロ構造のゲートリーク電流抑制とMBE成長膜の極性制御

Call No. (NDL): Y151-H17560013
Bibliographic ID of National Diet Library: 000009308276

Material type: 図書

Author: 澤田孝幸, 北海道工業大学 [著]

Publisher: [澤田孝幸]

Publication date: 2005-2006

Material Format: Paper

Capacity, size, etc.: 120p

NDC: -

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Note (General)：: 文部科学省科学研究費補助金研究成果報告書

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Material Type: 図書
Title: AlGaN/GaNヘテロ構造のゲートリーク電流抑制とMBE成長膜の極性制御
Title Transcription: AlGaN GaN ヘテロコウゾウノゲートリークデンリュウヨクセイト MBE セイチョウマクノキョクセイセイギョ
Author/Editor: 澤田孝幸, 北海道工業大学 [著]
Author Heading: 澤田, 孝幸サワダ, タカユキ
北海道工業大学ホッカイドウコウギョウダイガク
Publication, Distribution, etc.: [澤田孝幸]
Publication Date: 2005-2006
2007.6
Publication Date (W3CDTF): 2005
2006
Extent: 120p
Additional Title: 研究種目基盤研究(C)
Place of Publication (Country Code): JP
Text Language Code: jpn
Subject Heading: AlGaN/GaNヘテロ構造 / ショットキーダイオード / ゲートリーク電流 / HEMTデバイス / MBE成長 / I-V特性 / MIS構造 / 界面準位密度 AlGaN/GaN ヘテロコウゾウ / ショットキーダイオード / ゲートリークデンリュウ / HEMT デバイス / MBE セイチョウ / I-V トクセイ / MIS コウゾウ / カイメンジュンイミツド
NDLC: Y151
Note (General): 文部科学省科学研究費補助金研究成果報告書
Research Project No. of Grants-in-Aid for Scientific Research: 17560013
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: Y151-H17560013
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 000009308276
http://id.ndl.go.jp/bib/000009308276
Bibliographic Record Category (NDL): 214