博士論文

電子線照射発光活性化法による極薄SOI層中軽元素不純物の評価

博士論文を表すアイコン

電子線照射発光活性化法による極薄SOI層中軽元素不純物の評価

国立国会図書館請求記号
UT51-2008-M30
国立国会図書館書誌ID
000009900503
資料種別
博士論文
著者
中川聰子 [著]
出版者
[中川聰子]
出版年
[2008]
資料形態
ページ数・大きさ等
1冊
授与大学名・学位
総合研究大学院大学,博士 (工学)
すべて見る

資料に関する注記

一般注記:

博士論文

書店で探す

書誌情報

この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。

資料種別
博士論文
タイトルよみ
デンシセン ショウシャ ハッコウ カッセイカホウ ニ ヨル ゴクウス SOIソウチュウ ケイゲンソ フジュンブツ ノ ヒョウカ
著者・編者
中川聰子 [著]
著者標目
中川, 聰子 ナカガワ, サトコ
出版事項
出版年月日等
[2008]
出版年(W3CDTF)
2008
数量
1冊
並列タイトル等
Evaluation of light element impurities in ultrathin SOI wafers by luminescence activation using electron irradiation