Study of ruthenium films deposited by MOCVD and its application to the electrodes of ferroelectric memories

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: Study of ruthenium films deposited by MOCVD and its application to the electrodes of ferroelectric memories
• 著者・編者: Taisuke Furukawa [著]
• 著者標目: 古川, 泰助 フルカワ, タイスケ
• 出版事項: [Taisuke Furukawa]
• 出版年月日等: [2007]
• 出版年（W3CDTF）: 2007
• 数量: 1冊
• 授与機関名: 東京工業大学
• 授与年月日: 平成19年6月30日
• 授与年月日（W3CDTF）: 2007
• 報告番号: 乙第3924号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文; 標題紙のタイトル: Study of ruthenium films deposited by metalorganic chemical vapor deposition and its application to the electrodes of ferroelectric memories
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-2008-M478
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000009905014; http://id.ndl.go.jp/bib/000009905014
• 整理区分コード: 213