博士論文

Design, fabrication, and characterization of germanium MOSFETs with high-k gate dielectric stacks based on nitride interfacial layers

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Design, fabrication, and characterization of germanium MOSFETs with high-k gate dielectric stacks based on nitride interfacial layers

国立国会図書館請求記号
M-DIMIT-07-198
国立国会図書館書誌ID
000010047957
資料種別
博士論文
著者
Andrew P. Ritenour.
出版者
Massachusetts Institute of Technology
出版年
2007.
資料形態
ページ数・大きさ等
151 p.
授与大学名・学位
Massachusetts Institute of Technology
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書誌情報

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資料種別
博士論文
著者・編者
Andrew P. Ritenour.
出版年月日等
2007.
数量
151 p.
授与機関名
Massachusetts Institute of Technology
授与年月日
2007.
授与年月日(W3CDTF)
2007