Crystallographic and dielectric properties of ZrO2 films epitaxially grown by limited reaction sputtering

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: Crystallographic and dielectric properties of ZrO2 films epitaxially grown by limited reaction sputtering
• 著者・編者: Ying Zhou [著]
• 著者標目: 周, 英 ツォウ, イン
• 出版事項: [Ying Zhou]
• 出版年月日等: [2009]
• 出版年（W3CDTF）: 2009
• 数量: 1冊
• 並列タイトル等: 制限反応スパッタ法によるZrO2薄膜のエピタキシャル成長とその結晶学的・誘電的特性 セイゲン ハンノウ スパッタホウ ニ ヨル ZrO2 ハクマク ノ エピタキシャル セイチョウ ト ソノ ケッショウガクテキ ユウデンテキ トクセイ
• 授与機関名: 金沢大学
• 授与年月日: 平成21年9月28日
• 授与年月日（W3CDTF）: 2009
• 報告番号: 甲第3348号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng
• 著者別名: Zhou, Ying
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-2010-H781
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000011005949; http://id.ndl.go.jp/bib/000011005949
• 整理区分コード: 213