Radiation defects in ion implanted and/or high-energy irradiated MOS structures / S. Kaschieva and S.N. Dmitriev.

• 資料種別: 図書
• ISBN: 9781608761883 (hbk.); 1608761886 (hbk.)
• タイトル: Radiation defects in ion implanted and/or high-energy irradiated MOS structures / S. Kaschieva and S.N. Dmitriev.
• シリーズタイトル: Electrical engineering developments series
• タイトル標目: Electrical engineering developments series.
• 著者標目: Kaschieva, S., 1962-; Dmitriev, S. N., 1961-
• 出版事項: New York : Nova Science Publishers
• 出版年月日等: c2010.
• 出版年（W3CDTF）: 2010
• 数量: ix, 195 p. : ill. (some col.) ; 24 cm.
• 出版地（国名コード）: US
• 本文の言語コード: eng
• 件名標目: Metal oxide semiconductors.; Semiconductor doping.; Semiconductors -- Effect of radiation on.; Ion implantation.
• LCC: QC611.8.M4
• DDC: 621.3815/2
• NDLC: MC151
• 書誌注記: Includes bibliographical references and index.
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: MC151-B32
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000011163471; http://id.ndl.go.jp/bib/000011163471
• LC control number: 2009034541; https://lccn.loc.gov/2009034541
• OCLC番号: 430055513; https://www.worldcat.org/oclc/430055513
• 目録規則: 英米目録規則
• 整理区分コード: 211