シリコン貫通電極TSV : 半導体の高機能化技術

• 資料種別: 図書
• ISBN: 978-4-501-32800-9
• タイトル: シリコン貫通電極TSV : 半導体の高機能化技術
• タイトルよみ: シリコン カンツウ デンキョク TSV : ハンドウタイ ノ コウキノウカ ギジュツ
• 著者・編者: 傳田精一 著
• 著者標目: 伝田, 精一, 1931- デンダ, セイイチ, 1931- ( 00004752 )典拠
• 出版事項: 東京 : 東京電機大学出版局
• 出版年月日等: 2011.4
• 出版年（W3CDTF）: 2011
• 数量: 237p
• 大きさ: 21cm
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: シリコン (半導体) シリコン (ハンドウタイ) ( 00571220 )典拠
• NDC9版: 549.8 : 電子工学
• NDLC: ND371
• 対象利用者: 一般
• 書誌注記: 文献あり 索引あり
• 入手条件・定価: 2700円
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: ND371-J178
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000011185112; http://id.ndl.go.jp/bib/000011185112
• 全国書誌番号: 21947355
• NS-MARC番号: 122040400
• 目録規則: 日本目録規則1987年版改訂版
• 整理区分コード: 112

• 要約等: TSVとは，半導体を三次元に実装する際に用いる技術であり，半導体の高集積化，多量データ通信，省電力などが可能になる。（提供元: 出版情報登録センター（JPRO））

目次

第1章　シリコン貫通電極の重要性

1　LSIは2次元から3次元へ

2　3次元構造のシリコンデバイス

3　TSVデバイスの将来予想

4　世界のTSV研究開発