表面新物質創製

• 資料種別: 図書
• ISBN: 978-4-320-03372-6
• タイトル: 表面新物質創製
• タイトルよみ: ヒョウメン シンブッシツ ソウセイ
• 著者・編者: 白石賢二 担当編集幹事
• シリーズタイトル: 現代表面科学シリーズ = Modern surface science series ; 4
• シリーズ著者・編者: 日本表面科学会 編
• 著者標目: 白石, 賢二 シライシ, ケンジ ( 00874918 )典拠; 日本表面科学会 ニホン ヒョウメン カガッカイ ( 00293747 )典拠
• 出版事項: 東京 : 共立出版
• 出版年月日等: 2011.9
• 出版年（W3CDTF）: 2011
• 数量: 192p
• 大きさ: 21cm
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 表面 (工学) ヒョウメン (コウガク) ( 00563858 )典拠
• NDC9版: 501.2 : 工業基礎学
• NDLC: MC141
• 対象利用者: 一般
• 入手条件・定価: 3300円
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: MC141-J64
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000011276246; http://id.ndl.go.jp/bib/000011276246
• 全国書誌番号: 21985304
• 目録規則: 日本目録規則1987年版改訂版
• 整理区分コード: 111

• 要約等: 本巻では表面制御や表面との相互作用を利用した「表面を舞台としたナノスケールの新物質の創製」に焦点を当て，ナノスケールの表面制御技術を眺めてみた。 第1章では，表面を舞台に行われる結晶成長において，結晶表面に形成させる欠陥を制御することで，Geアイランド，欠陥の非常に少ないGaN基板，無歪のGe等，多...

目次

第1章　欠陥制御エピタキシャル成長技術による表面物質創製

1.1　Si表面上Ge歪エピタキシャル成長によるナノアイランド形成

1.1.1　はじめに

1.1.2　Si表面上GeのStranski-Krastanov(SK)成長

1.1.3　透過電子顕微鏡法によるhut clusterと格子欠陥の観察