表面新物質創製

• Material Type: 図書
• ISBN: 978-4-320-03372-6
• Title: 表面新物質創製
• Title Transcription: ヒョウメン シンブッシツ ソウセイ
• Author/Editor: 白石賢二 担当編集幹事
• Series Title: 現代表面科学シリーズ = Modern surface science series ; 4
• Author/Editor (Series Title): 日本表面科学会 編
• Author Heading: 白石, 賢二 シライシ, ケンジ ( 00874918 )Authorities; 日本表面科学会 ニホン ヒョウメン カガッカイ ( 00293747 )Authorities
• Publication, Distribution, etc.: 東京 : 共立出版
• Publication Date: 2011.9
• Publication Date (W3CDTF): 2011
• Extent: 192p
• Size: 21cm
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: jpn
• Subject Heading: 表面 (工学) ヒョウメン (コウガク) ( 00563858 )Authorities
• NDC 9th ed.: 501.2 : Basic engineering
• NDLC: MC141
• Target Audience: 一般
• Price: 3300円
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: MC141-J64
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000011276246; http://id.ndl.go.jp/bib/000011276246
• National Bibliography No. (JPNO): 21985304
• Cataloging Rule: Nippon Cataloguing Rules 1987 Revised Edition
• Bibliographic Record Category (NDL): 111

• Summary, etc.: 本巻では表面制御や表面との相互作用を利用した「表面を舞台としたナノスケールの新物質の創製」に焦点を当て，ナノスケールの表面制御技術を眺めてみた。 第1章では，表面を舞台に行われる結晶成長において，結晶表面に形成させる欠陥を制御することで，Geアイランド，欠陥の非常に少ないGaN基板，無歪のGe等，多...

Table of Contents

第1章　欠陥制御エピタキシャル成長技術による表面物質創製

1.1　Si表面上Ge歪エピタキシャル成長によるナノアイランド形成

1.1.1　はじめに

1.1.2　Si表面上GeのStranski-Krastanov(SK)成長

1.1.3　透過電子顕微鏡法によるhut clusterと格子欠陥の観察