Development and analysis of high-performance SiC metal-oxide-semiconductor devices with phosphorus-doped gate oxide

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: Development and analysis of high-performance SiC metal-oxide-semiconductor devices with phosphorus-doped gate oxide
• 著者・編者: Dai Okamoto [著]
• 著者標目: 岡本, 大 オカモト, ダイ
• 出版事項: [Dai Okamoto]
• 出版年月日等: [2011]
• 出版年（W3CDTF）: 2011
• 数量: 1冊
• 並列タイトル等: リンドープゲート酸化膜を用いた高性能SiC金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタの作製と解析 リン ドープ ゲート サンカマク オ モチイタ コウセイノウ SiC キンゾク - サンカマク - ハンドウタイ デンカイ コウカ トランジスタ ノ サクセイ ト カイセキ
• 授与機関名: 奈良先端科学技術大学院大学
• 授与年月日: 平成23年3月24日
• 授与年月日（W3CDTF）: 2011
• 報告番号: 甲第1008号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-2011-G31
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000011280237; http://id.ndl.go.jp/bib/000011280237
• 整理区分コード: 213