Development and analysis of high-performance SiC metal-oxide-semiconductor devices with phosphorus-doped gate oxide

• Material Type: 博士論文
• Title: Development and analysis of high-performance SiC metal-oxide-semiconductor devices with phosphorus-doped gate oxide
• Author/Editor: Dai Okamoto [著]
• Author Heading: 岡本, 大 オカモト, ダイ
• Publication, Distribution, etc.: [Dai Okamoto]
• Publication Date: [2011]
• Publication Date (W3CDTF): 2011
• Extent: 1冊
• Alternative Title: リンドープゲート酸化膜を用いた高性能SiC金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタの作製と解析 リン ドープ ゲート サンカマク オ モチイタ コウセイノウ SiC キンゾク - サンカマク - ハンドウタイ デンカイ コウカ トランジスタ ノ サクセイ ト カイセキ
• Degree grantor/type: 奈良先端科学技術大学院大学
• Date Granted: 平成23年3月24日
• Date Granted (W3CDTF): 2011
• Dissertation Number: 甲第1008号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: eng
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-2011-G31
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000011280237; http://id.ndl.go.jp/bib/000011280237
• Bibliographic Record Category (NDL): 213