Si基板上3C-SiC薄膜の熱改質によるエピタキシャルグラフェン形成とその高品質化に関する研究

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: Si基板上3C-SiC薄膜の熱改質によるエピタキシャルグラフェン形成とその高品質化に関する研究
• タイトルよみ: Si キバンジョウ 3C-SiC ハクマク ノ ネツ カイシツ ニ ヨル エピタキシャル グラフェン ケイセイ ト ソノ コウヒンシツカ ニ カンスル ケンキュウ
• 著者・編者: 半田浩之 [著]
• 著者標目: 半田, 浩之 ハンダ, ヒロユキ
• 出版事項: [半田浩之]
• 出版年月日等: [2011]
• 出版年（W3CDTF）: 2011
• 数量: 1冊
• 授与機関名: 東北大学
• 授与年月日: 平成23年3月25日
• 授与年月日（W3CDTF）: 2011
• 報告番号: 甲第14030号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• NDLC: UT51
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-2011-L402
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 023342167; http://id.ndl.go.jp/bib/023342167
• 整理区分コード: 213