Study of radical kinetic behavior investigation technique and its application in ultimate CMOS TCAD topography simulation

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: Study of radical kinetic behavior investigation technique and its application in ultimate CMOS TCAD topography simulation
• 著者・編者: Arkadiusz Malinowski [著]
• 著者標目: Malinowski, Arkadiusz マリノフスキ, アルカディウス
• 出版事項: [Arkadiusz Malinowski]
• 出版年月日等: [2012]
• 出版年（W3CDTF）: 2012
• 数量: 1冊
• 並列タイトル等: ラジカル表面反応解析技術の開発と先進CMOS形状シミュレーションへの応用に関する研究 ラジカル ヒョウメン ハンノウ カイセキ ギジュツ ノ カイハツ ト センシン CMOS ケイジョウ シミュレーション エ ノ オウヨウ ニ カンスル ケンキュウ
• 授与機関名: 名古屋大学
• 授与年月日: 平成24年3月26日
• 授与年月日（W3CDTF）: 2012
• 報告番号: 甲第9605号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng
• NDLC: UT51
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-2012-A731
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 023666920; http://id.ndl.go.jp/bib/023666920
• 整理区分コード: 213