Study of radical kinetic behavior investigation technique and its application in ultimate CMOS TCAD topography simulation

• Material Type: 博士論文
• Title: Study of radical kinetic behavior investigation technique and its application in ultimate CMOS TCAD topography simulation
• Author/Editor: Arkadiusz Malinowski [著]
• Author Heading: Malinowski, Arkadiusz マリノフスキ, アルカディウス
• Publication, Distribution, etc.: [Arkadiusz Malinowski]
• Publication Date: [2012]
• Publication Date (W3CDTF): 2012
• Extent: 1冊
• Alternative Title: ラジカル表面反応解析技術の開発と先進CMOS形状シミュレーションへの応用に関する研究 ラジカル ヒョウメン ハンノウ カイセキ ギジュツ ノ カイハツ ト センシン CMOS ケイジョウ シミュレーション エ ノ オウヨウ ニ カンスル ケンキュウ
• Degree Grantor: 名古屋大学
• Date Granted: 平成24年3月26日
• Date Granted (W3CDTF): 2012
• Dissertation Number: 甲第9605号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: eng
• NDLC: UT51
• Target Audience: 一般
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-2012-A731
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 023666920; http://id.ndl.go.jp/bib/023666920
• Bibliographic Record Category (NDL): 213