抵抗変化メモリの知的材料設計

• 資料種別: 図書
• ISBN: 978-4-87259-255-9
• タイトル: 抵抗変化メモリの知的材料設計
• タイトルよみ: テイコウ ヘンカ メモリ ノ チテキ ザイリョウ セッケイ
• 著者・編者: 笠井秀明, 岸浩史 著
• シリーズタイトル: 大阪大学新世紀レクチャー. 計算機マテリアルデザイン先端研究事例 ; 2
• 著者標目: 笠井, 秀明 カサイ, ヒデアキ ( 01043267 )典拠; 岸, 浩史, 1978- キシ, ヒロフミ, 1978- ( 001124709 )典拠
• 出版事項: 吹田 : 大阪大学出版会
• 出版年月日等: 2012.9
• 出版年（W3CDTF）: 2012
• 数量: 74p
• 大きさ: 21cm
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 半導体記憶装置 ハンドウタイキオクソウチ ( 00576965 )典拠
• NDC9版: 548.232 : 情報工学
• NDLC: ND386
• 対象利用者: 一般
• 書誌注記: 文献あり 索引あり
• 入手条件・定価: 1100円
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: ND386-L2
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 023961227; http://id.ndl.go.jp/bib/023961227
• 全国書誌番号: 22179153
• トーハンMARC番号: 32822962
• 目録規則: 日本目録規則1987年版改訂版
• 整理区分コード: 111

• 要約等: 統計的相関，力学的相関のため，金属中の電子はその周りに正孔を伴って運動している．金属から真空中へ電子を取り出そうとすると，この正孔が抵抗する．仕事関数の主な原因である．それでも，電子を取り出してしまうと，正孔が取り残される．これと電子間に鏡像力が働く．金属と真空との境界近傍の一つの現象である． ...
• 著者紹介: 笠井 秀明 大阪大学大学院工学研究科教授岸 浩史 ダイハツ工業株式会社（提供元: 出版情報登録センター（JPRO））

目次

1．序　論

1?1．計算機マテリアルデザイン

1?2．不揮発性メモリの発展

1?3．抵抗変化メモリの概要

1?4．抵抗変化メモリの課題