抵抗変化メモリの知的材料設計

• Material Type: 図書
• ISBN: 978-4-87259-255-9
• Title: 抵抗変化メモリの知的材料設計
• Title Transcription: テイコウ ヘンカ メモリ ノ チテキ ザイリョウ セッケイ
• Author/Editor: 笠井秀明, 岸浩史 著
• Series Title: 大阪大学新世紀レクチャー. 計算機マテリアルデザイン先端研究事例 ; 2
• Author Heading: 笠井, 秀明 カサイ, ヒデアキ ( 01043267 )Authorities; 岸, 浩史, 1978- キシ, ヒロフミ, 1978- ( 001124709 )Authorities
• Publication, Distribution, etc.: 吹田 : 大阪大学出版会
• Publication Date: 2012.9
• Publication Date (W3CDTF): 2012
• Extent: 74p
• Size: 21cm
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: jpn
• Subject Heading: 半導体記憶装置 ハンドウタイキオクソウチ ( 00576965 )Authorities
• NDC 9th ed.: 548.232 : Information engineering
• NDLC: ND386
• Target Audience: 一般
• Note (Bibliography): 文献あり 索引あり
• Price: 1100円
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: ND386-L2
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 023961227; http://id.ndl.go.jp/bib/023961227
• National Bibliography No. (JPNO): 22179153
• TOHAN MARC No.: 32822962
• Cataloging Rule: Nippon Cataloguing Rules 1987 Revised Edition
• Bibliographic Record Category (NDL): 111

• Summary, etc.: 統計的相関，力学的相関のため，金属中の電子はその周りに正孔を伴って運動している．金属から真空中へ電子を取り出そうとすると，この正孔が抵抗する．仕事関数の主な原因である．それでも，電子を取り出してしまうと，正孔が取り残される．これと電子間に鏡像力が働く．金属と真空との境界近傍の一つの現象である． ...
• Author introduction: 笠井 秀明 大阪大学大学院工学研究科教授岸 浩史 ダイハツ工業株式会社(Provided by: 出版情報登録センター（JPRO）)

Table of Contents

1．序　論

1?1．計算機マテリアルデザイン

1?2．不揮発性メモリの発展

1?3．抵抗変化メモリの概要

1?4．抵抗変化メモリの課題