Al₂O₃をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSHFETの作製・評価に関する研究

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: Al₂O₃をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSHFETの作製・評価に関する研究
• タイトルよみ: Al₂O₃ オ ゲート ゼツエンマク ト スル AlGaN/GaN MOSHFET ノ サクセイ ヒョウカ ニ カンスル ケンキュウ
• 著者・編者: 宮﨑英志 [著]
• 著者標目: 宮﨑, 英志 ミヤザキ, エイジ
• 出版事項: [宮﨑英志]
• 出版年月日等: [2013]
• 出版年（W3CDTF）: 2013
• 数量: 1冊
• 授与機関名: 名古屋大学
• 授与年月日: 平成25年3月25日
• 授与年月日（W3CDTF）: 2013
• 報告番号: 甲第10191号
• 学位: 博士(工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• NDLC: UT51
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-2013-B819
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 024664243; http://id.ndl.go.jp/bib/024664243
• 整理区分コード: 213