Al₂O₃をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSHFETの作製・評価に関する研究

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Material Type: 博士論文
Title: Al₂O₃をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSHFETの作製・評価に関する研究
Title Transcription: Al₂O₃ オゲートゼツエンマクトスル AlGaN/GaN MOSHFET ノサクセイヒョウカニカンスルケンキュウ
Author/Editor: 宮﨑英志 [著]
Author Heading: 宮﨑, 英志ミヤザキ, エイジ
Publication, Distribution, etc.: [宮﨑英志]
Publication Date: [2013]
Publication Date (W3CDTF): 2013
Extent: 1冊
Degree grantor/type: 名古屋大学
Date Granted: 平成25年3月25日
Date Granted (W3CDTF): 2013
Dissertation Number: 甲第10191号
Degree Type: 博士(工学)
Note (Dissertation): 博士論文
Place of Publication (Country Code): JP
Text Language Code: jpn
NDLC: UT51
Target Audience: 一般
Note (General): 博士論文
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: UT51-2013-B819
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 024664243
http://id.ndl.go.jp/bib/024664243
Bibliographic Record Category (NDL): 213