Defects and impurities in silicon materials : an introduction to atomic-level silicon engineering

• 資料種別: 図書
• ISBN: 978-4-431-55799-9
• ISSN（シリーズ）: 0075-8450
• タイトル: Defects and impurities in silicon materials : an introduction to atomic-level silicon engineering
• 著者・編者: Yutaka Yoshida, Guido Langouche editors
• シリーズタイトル: Lecture notes in physics ; volume 916
• 著者標目: 吉田, 豊, 1954- ヨシダ, ユタカ, 1954- ( 00754016 )典拠; Langouche, Guido ( 001233239 )典拠
• 出版事項: Tokyo : Springer
• 出版年月日等: c2015
• 出版年（W3CDTF）: 2015
• 数量: 487p
• 大きさ: 24cm
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng
• NDLC: PA431
• 対象利用者: 一般
• 書誌注記: 文献あり
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: PA431-B169
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 026784695; http://id.ndl.go.jp/bib/026784695
• 全国書誌番号: 22746211
• 目録規則: 日本目録規則1987年版改訂版
• 整理区分コード: 111

• 内容細目: Diffusion and point defects in silicon materials / Hartmut Bracht 著Density functional modeling of defects and impurities in silicon materials / José C...