Epitaxial growth of GaN on silicon using molecular beam epitaxy and its application for MEMS based hydrogen gas sensor

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: Epitaxial growth of GaN on silicon using molecular beam epitaxy and its application for MEMS based hydrogen gas sensor
• 著者・編者: Aihua Zhong [著]
• 著者標目: 鐘, 愛華 ジョン, アイファ
• 出版事項: [Aihua Zhong]
• 出版年月日等: [2014]
• 出版年（W3CDTF）: 2014
• 数量: 1冊
• 並列タイトル等: 分子線エピタキシーを用いたシリコン上GaNのエピタキシャル成長とMEMS型水素ガスセンサーへの応用 ブンシセン エピタキシー オ モチイタ シリコンジョウ GaN ノ エピタキシャル セイチョウ ト MEMSガタ スイソ ガス センサー エ ノ オウヨウ
• 授与機関名: 東北大学
• 授与年月日: 平成26年9月24日
• 授与年月日（W3CDTF）: 2014
• 報告番号: 甲第16040号
• 学位: 博士(工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng
• NDLC: UT51
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-2015-B552
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 026813433; http://id.ndl.go.jp/bib/026813433
• 整理区分コード: 213