Epitaxial growth of GaN on silicon using molecular beam epitaxy and its application for MEMS based hydrogen gas sensor

• Material Type: 博士論文
• Title: Epitaxial growth of GaN on silicon using molecular beam epitaxy and its application for MEMS based hydrogen gas sensor
• Author/Editor: Aihua Zhong [著]
• Author Heading: 鐘, 愛華 ジョン, アイファ
• Publication, Distribution, etc.: [Aihua Zhong]
• Publication Date: [2014]
• Publication Date (W3CDTF): 2014
• Extent: 1冊
• Alternative Title: 分子線エピタキシーを用いたシリコン上GaNのエピタキシャル成長とMEMS型水素ガスセンサーへの応用 ブンシセン エピタキシー オ モチイタ シリコンジョウ GaN ノ エピタキシャル セイチョウ ト MEMSガタ スイソ ガス センサー エ ノ オウヨウ
• Degree grantor/type: 東北大学
• Date Granted: 平成26年9月24日
• Date Granted (W3CDTF): 2014
• Dissertation Number: 甲第16040号
• Degree Type: 博士(工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: eng
• NDLC: UT51
• Target Audience: 一般
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-2015-B552
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 026813433; http://id.ndl.go.jp/bib/026813433
• Bibliographic Record Category (NDL): 213