Siデバイス・プロセス技術の開発史 = Development of silicon device and process technologies : 極限追及と実用化

• 資料種別: 図書
• ISBN: 978-4-908520-12-9
• タイトル: Siデバイス・プロセス技術の開発史 : 極限追及と実用化
• タイトルよみ: Si デバイス ・ プロセス ギジュツ ノ カイハツシ : キョクゲン ツイキュウ ト ジツヨウカ
• 著者・編者: 向井久和 監修; 通研半導体技術史 (Siデバイス・プロセス編) 編集委員会 編著
• 著者標目: 向井, 久和 ムカイ, ヒサカズ ( 001231585 )典拠
• 出版事項: [東京] : 日本電信電話先端集積デバイス研究所
• 出版年月日等: 2017.3
• 出版年（W3CDTF）: 2017
• 数量: 401p
• 大きさ: 30cm
• 並列タイトル等: Development of silicon device and process technologies Development of silicon device and process technologies; Development of silicon device and process technologies
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 半導体 ハンドウタイ ( 00562913 )典拠
• NDC10版: 549.8 : 電子工学
• NDLC: ND371
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 発行所: サイバー出版センター
• 書誌注記: 文献あり
• 入手条件・定価: 5000円
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: ND371-L110
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 028132070; http://id.ndl.go.jp/bib/028132070
• 全国書誌番号: 22904915
• 目録規則: 日本目録規則1987年版改訂版
• 整理区分コード: 111

目次

Siデバイス・プロセス技術の開発史

第1章 はじめに

1.1 半導体技術の勃興と通信インフラストラクチャの発展

-半導体デバイス・プロセス技術研究の背景と位置づけ-/ 1

1.2 通研におけるSi半導体デバイス・プロセス技術研究の歴史/ 3

1.2.1 半導体黎明期における研究実用化

-GeトランジスタからSiトランジスタ、そして集積回路へ-/ 3