Ferroelectric-gate field effect transistor memories : device physics and applications Second edition. (Topics in Applied Physics ; volume 131)

Ferroelectric-gate field effect transistor memories : device physics and applications

Second edition.

(Topics in Applied Physics ; volume 131)

国立国会図書館請求記号: ND371-D8
国立国会図書館書誌ID: 030175090

資料種別: 図書

著者: Byung-Eun Park, Hiroshi Ishiwara, Masanori Okuyama, Shigeki Sakai, Sung-Min Yoon, editors.

出版者: Springer

出版年: [2020]

資料形態: 紙

ページ数・大きさ等: xiv, 425 pages ; 25 cm.

NDC: -

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資料に関する注記

一般注記：: "ISSN 1437-0859 (electronic)"--title page verso.

形態の詳細：: illustrations (black and white)

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書誌情報

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紙

資料種別: 図書
ISBN: 9789811512117 hardback
9811512116
ISBN（エラーコード）: 9789811512124 ebook
ISSN（シリーズ）: 0303-4216
タイトル: Ferroelectric-gate field effect transistor memories : device physics and applications
著者・編者: Byung-Eun Park, Hiroshi Ishiwara, Masanori Okuyama, Shigeki Sakai, Sung-Min Yoon, editors.
版: Second edition.
シリーズタイトル: Topics in Applied Physics ; volume 131
著者標目: Park, Byung-Eun.
出版事項: Singapore : Springer (出版)
出版年月日等: [2020]
出版年（W3CDTF）: 2020
数量: xiv, 425 pages
形態の詳細: illustrations (black and white)
大きさ: 25 cm.
出版地（国名コード）: SG
本文の言語コード: eng
表現種別: text
機器種別: unmediated
キャリア種別: volume
件名標目: Field-effect transistors.
Ferroelectric thin films.
DDC: 621.3815284
NDLC: ND371
対象利用者: 一般
一般注記: "ISSN 1437-0859 (electronic)"--title page verso.
書誌注記: Includes bibliographical references.
別の媒体に関する注記: Also available electronically.
コレクション（個別）: 日本関係外国語図書
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: ND371-D8
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 030175090
http://id.ndl.go.jp/bib/030175090
OCLC番号: 1197813955
https://www.worldcat.org/oclc/1197813955
目録規則: RDA
整理区分コード: 211