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次世代パワー半導体の熱設計と実装技術 (エレクトロニクスシリーズ)

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次世代パワー半導体の熱設計と実装技術 = Thermal design and packaging technology for WBG power semiconductors

(エレクトロニクスシリーズ)

国立国会図書館請求記号
ND371-M46
国立国会図書館書誌ID
030221879
資料種別
図書
著者
菅沼克昭 監修
出版者
シーエムシー出版
出版年
2020.1
資料形態
ページ数・大きさ等
304p ; 26cm
NDC
549.8
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資料詳細

要約等:

EV市場をはじめエネルギー分野において、SiCやGaNなどのWBGパワー半導体の需要が高まっている。当書籍では、その実用化にあたって課題となる熱設計に焦点を当て、樹脂材料や基板の開発、冷却・放熱技術を解説する。(提供元: 出版情報登録センター(JPRO))

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目次

  • 目次

  • 第1章 実装技術の現状と展望

  • 1 パワーデバイス高性能化の最前線と今後の展望/ 1

    藤島直人

  • 1.1 はじめに/ 1

  • 1.2 SiC/ 2

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書誌情報

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資料種別
図書
ISBN
978-4-7813-1436-5
タイトルよみ
ジセダイ パワー ハンドウタイ ノ ネツセッケイ ト ジッソウ ギジュツ
著者・編者
菅沼克昭 監修
シリーズタイトル
著者標目
菅沼, 克昭, 1955- スガヌマ, カツアキ, 1955- ( 00851045 )典拠
出版年月日等
2020.1
出版年(W3CDTF)
2020