次世代パワー半導体デバイス・実装技術の基礎 = Basic Understanding of Next Generation Power Semiconductor Device and Packaging Technology : Siから新材料への新展開

• 資料種別: 図書
• ISBN: 978-4-904774-95-3
• タイトル: 次世代パワー半導体デバイス・実装技術の基礎 : Siから新材料への新展開
• タイトルよみ: ジセダイ パワー ハンドウタイ デバイス ジッソウ ギジュツ ノ キソ
• 著者・編者: 田中保宣 監修
• シリーズタイトル: 設計技術シリーズ
• 著者標目: 監修者 ： 田中, 保宣 タナカ, ヤスノリ ( 031573494 )典拠
• 出版事項: つくば : 科学情報出版 (出版)
• 出版年月日等: 2021.1
• 出版年（W3CDTF）: 2021
• 数量: 279p
• 大きさ: 21cm
• 並列タイトル等: Basic Understanding of Next Generation Power Semiconductor Device and Packaging Technology エスアイ カラ シンザイリョウ エノ シンテンカイ; Basic Understanding of Next Generation Power Semiconductor Device and Packaging Technology
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 表現種別: テキスト
• 機器種別: 機器不用
• キャリア種別: 冊子
• 件名標目: パワーデバイス パワー デバイス ( 001273066 )典拠
• NDC10版: 549.8 : 電子工学
• NDLC: ND371
• 対象利用者: 一般
• 入手条件・定価: 4500円
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: ND371-M76
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 031217229; http://id.ndl.go.jp/bib/031217229
• 全国書誌番号: 23560105
• トーハンMARC番号: 34163160
• 目録規則: 日本目録規則2018年版
• 整理区分コード: 111

• 要約等: 本書は、ワイドバンドギャップ 半導体による次世代パワーデバイスに加え、性能限界が叫ばれる中でも更なる性能向上を進めているSi パワーデバイスの研究開発の最前線について、各分野の代表的な研究者を著者に迎え編集したものです。炭化ケイ素(SiC) に代表されるワイドバンドギャップ半導体は、Si と比較して...
• 著者紹介: 田中 保宣 所属:(国研)産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター 経歴:大阪大学大学院で博士号を取得後、1996年に工業技術院電子技術総合研究所(当時)に入所。低速イオン散乱法 (ISS) やラザフォード後方散乱分光法(RBS)による半導体表面分析、及び炭化ケイ素(SiC)へのイ...

目次

第１章　パワーデバイスの基礎

１－１　パワーデバイスとは

１－１－１　パワーデバイスの役割

１－１－２　パワーデバイスの基本動作

１－１－３　パワーデバイスの分類