次世代パワー半導体デバイス・実装技術の基礎 = Basic Understanding of Next Generation Power Semiconductor Device and Packaging Technology : Siから新材料への新展開

• Material Type: 図書
• ISBN: 978-4-904774-95-3
• Title: 次世代パワー半導体デバイス・実装技術の基礎 : Siから新材料への新展開
• Title Transcription: ジセダイ パワー ハンドウタイ デバイス ジッソウ ギジュツ ノ キソ
• Author/Editor: 田中保宣 監修
• Series Title: 設計技術シリーズ
• Author Heading: 監修者 ： 田中, 保宣 タナカ, ヤスノリ ( 031573494 )Authorities
• Publication, Distribution, etc.: つくば : 科学情報出版 (出版)
• Publication Date: 2021.1
• Publication Date (W3CDTF): 2021
• Extent: 279p
• Size: 21cm
• Alternative Title: Basic Understanding of Next Generation Power Semiconductor Device and Packaging Technology エスアイ カラ シンザイリョウ エノ シンテンカイ; Basic Understanding of Next Generation Power Semiconductor Device and Packaging Technology
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: jpn
• Content Type: テキスト
• Media Type: 機器不用
• Carrier Type: 冊子
• Subject Heading: パワーデバイス パワー デバイス ( 001273066 )Authorities
• NDC 10th ed.: 549.8 : Electronic engineering
• NDLC: ND371
• Target Audience: 一般
• Price: 4500円
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: ND371-M76
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 031217229; http://id.ndl.go.jp/bib/031217229
• National Bibliography No. (JPNO): 23560105
• TOHAN MARC No.: 34163160
• Cataloging Rule: Nippon Cataloging Rules 2018 Edition
• Bibliographic Record Category (NDL): 111

• Summary, etc.: 本書は、ワイドバンドギャップ 半導体による次世代パワーデバイスに加え、性能限界が叫ばれる中でも更なる性能向上を進めているSi パワーデバイスの研究開発の最前線について、各分野の代表的な研究者を著者に迎え編集したものです。炭化ケイ素(SiC) に代表されるワイドバンドギャップ半導体は、Si と比較して...
• Author introduction: 田中 保宣 所属:(国研)産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター 経歴:大阪大学大学院で博士号を取得後、1996年に工業技術院電子技術総合研究所(当時)に入所。低速イオン散乱法 (ISS) やラザフォード後方散乱分光法(RBS)による半導体表面分析、及び炭化ケイ素(SiC)へのイ...

Table of Contents

第１章　パワーデバイスの基礎

１－１　パワーデバイスとは

１－１－１　パワーデバイスの役割

１－１－２　パワーデバイスの基本動作

１－１－３　パワーデバイスの分類