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書誌情報
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- 資料種別
- 図書
- タイトルよみ
- Comprehensive nano-scale analysis to achieve high removal rate of 4H-SiC polishing by experimentally visualizing their polishing phenomena
- 出版年月日等
- 2021.8
- 出版年（W3CDTF）
- 2021
- 数量
- 25 p
- 大きさ
- 30 cm
- 並列タイトル等
- 研磨現象可視化によるSiC基板の研磨加工レートとその要因解析 ケンマ ゲンショウ カシカ ニ ヨル SiC キバン ノ ケンマ カコウ レート ト ソノ ヨウイン カイセキ
- 出版地（国名コード）
- JP