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博士論文

4H-SiC/SiO₂熱酸化界面構造の理解とそのプロセス制御によるMOSFET高性能化の研究

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4H-SiC/SiO₂熱酸化界面構造の理解とそのプロセス制御によるMOSFET高性能化の研究

国立国会図書館請求記号
UT51-2022-A105
国立国会図書館書誌ID
032198407
資料種別
博士論文
著者
平井悠久 [著]
出版者
-
授与年月日
平成30年3月22日
資料形態
ページ数・大きさ等
1冊
授与機関名・学位
東京大学,博士(工学)
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資料種別
博士論文
タイトルよみ
4H-SiC/SiO₂ ネツ サンカ カイメン コウゾウ ノ リカイ ト ソノ プロセス セイギョ ニ ヨル MOSFET コウセイノウカ ノ ケンキュウ
著者・編者
平井悠久 [著]
著者標目
平井, 悠久 ヒライ, ヒロヒサ
出版年月日等
[2018]
出版年(W3CDTF)
2018
数量
1冊
授与機関名
東京大学
授与年月日
平成30年3月22日