4H-SiC/SiO₂熱酸化界面構造の理解とそのプロセス制御によるMOSFET高性能化の研究

• Material Type: 博士論文
• Title: 4H-SiC/SiO₂熱酸化界面構造の理解とそのプロセス制御によるMOSFET高性能化の研究
• Title Transcription: 4H-SiC/SiO₂ ネツ サンカ カイメン コウゾウ ノ リカイ ト ソノ プロセス セイギョ ニ ヨル MOSFET コウセイノウカ ノ ケンキュウ
• Author/Editor: 平井悠久 [著]
• Author Heading: 平井, 悠久 ヒライ, ヒロヒサ
• Publication Date: [2018]
• Publication Date (W3CDTF): 2018
• Extent: 1冊
• Degree Grantor: 東京大学
• Date Granted: 平成30年3月22日
• Date Granted (W3CDTF): 2018
• Dissertation Number: 甲第34783号
• Degree Type: 博士(工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: jpn
• Content Type: テキスト
• Media Type: 機器不用
• Carrier Type: 冊子
• NDLC: UT51
• Target Audience: 一般
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-2022-A105
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 032198407; http://id.ndl.go.jp/bib/032198407
• Bibliographic Record Category (NDL): 213