化合物半導体のエピタキシャル成長 : 多様な成長技術とその応用
化合物半導体のエピタキシャル成長 : 多様な成長技術とその応用
- 国立国会図書館請求記号
- ND371-R1
- 国立国会図書館書誌ID
- 033209851
資料詳細
要約等：
- 化合物半導体のエピタキシャル成長技術に要求される性能は時代にかかわらず高い結晶品質，高い膜厚制御性，低い製造コスト，そして量産性である．本書は様々なエピタキシャル成長技術に直接触れ，長年研究してきた著者がその知見をまとめたものである．【目次】第1章 半導体の種類と特徴1.1 はじめに1.2 Ⅳ族半導...
著者紹介：
- 堀越佳治 東北大学工学部電気工学科卒，同大大学院工学研究科電子工学専攻修士課程，博士課程修了．工学博士．NTT基礎研究所研究員，ドイツ・マックスプランク固体研究所研究員，北海道大学客員教授，東北大学客員教授を経て，早稲田大学理工学部教授．早稲田大学名誉教授．河原塚篤 早稲田大学理工学部電気・情報生命...
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目次
第1章 半導体の種類と特徴
1.1 はじめに
1.2 Ⅳ族半導体
1.3 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体
1.4 その他の化合物半導体
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紙- 請求記号：
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- 図書登録番号：
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- 資料種別
- 図書
- ISBN
- 978-4-7536-5051-4
- タイトルよみ
- カゴウブツ ハンドウタイ ノ エピタキシャル セイチョウ : タヨウ ナ セイチョウ ギジュツ ト ソノ オウヨウ
- 著者・編者
- 堀越佳治, 河原塚篤 共著
- 出版事項
- 出版年月日等
- 2023.12
- 出版年（W3CDTF）
- 2023
- 数量
- 220p