パワエレ技術者のためのSiCパワー半導体デバイス = SiC power semiconductor devices for power electronics engineers : 高信頼性を実現する素子と実装技術

• 資料種別: 図書
• ISBN: 978-4-910558-26-4
• タイトル: パワエレ技術者のためのSiCパワー半導体デバイス : 高信頼性を実現する素子と実装技術
• タイトルよみ: パワエレ ギジュツシャ ノ タメ ノ エスアイシー パワー ハンドウタイ デバイス
• 著者・編者: 岩室憲幸 著
• シリーズタイトル: 設計技術シリーズ
• 著者標目: 著者 ： 岩室, 憲幸, 1962- イワムロ, ノリユキ, 1962- ( 001122443 )典拠
• 出版事項: つくば : 科学情報出版 (出版)
• 出版年月日等: 2024.2
• 出版年（W3CDTF）: 2024
• 数量: 186p
• 大きさ: 21cm
• 並列タイトル等: SiC power semiconductor devices for power electronics engineers コウシンライセイ オ ジツゲン スル ソシ ト ジッソウ ギジュツ; SiC power semiconductor devices for power electronics engineers
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 表現種別: テキスト
• 機器種別: 機器不用
• キャリア種別: 冊子
• 件名標目: パワーデバイス パワー デバイス ( 001273066 )典拠
• NDC10版: 549.8 : 電子工学
• NDLC: ND371
• 対象利用者: 一般
• 書誌注記: 索引あり
• 入手条件・定価: 4000円
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: ND371-R8
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 033303298; http://id.ndl.go.jp/bib/033303298
• 全国書誌番号: 23953025
• トーハンMARC番号: 34572680
• 目録規則: 日本目録規則2018年版
• 整理区分コード: 111

• 要約等: パワー半導体デバイスにおいて圧倒的なシェアを占めているのがシリコン半導体である。しかし，最近徐々にではあるが炭化ケイ素（ SiC） に代表される次世代パワー半導体デバイスが，製品としての存在感を増してきている。本書では，電気エネルギーの一層の有効利用実現に欠かすことのできないパワー半導体デバイス，特...
• 著者紹介: 岩室 憲幸 所属：筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授 経歴： 1962 年 東京都板橋区生まれ 1984 年 早稲田大学理工学部電気工学科卒。富士電機株式会社 入社 1988 年から シリコンIGBT、ダイオードならびにSiC デバイス の研究開発、製品化に従事 1992-93 年 米国N...

目次

目次

第１章　パワーエレクトロニクスならびにパワー半導体デバイス

１.１　はじめに

１.２　インバータ回路の種類

１.３　パワー半導体デバイスの役割とその課題