パワエレ技術者のためのSiCパワー半導体デバイス : 高信頼性を実現する素子と実装技術 (設計技術シリーズ)
パワエレ技術者のためのSiCパワー半導体デバイス = SiC power semiconductor devices for power electronics engineers : 高信頼性を実現する素子と実装技術
(設計技術シリーズ)
- Call No. (NDL)
- ND371-R8
- Bibliographic ID of National Diet Library
- 033303298
Detailed bibliographic record
Summary, etc.：
- パワー半導体デバイスにおいて圧倒的なシェアを占めているのがシリコン半導体である。しかし，最近徐々にではあるが炭化ケイ素（ SiC） に代表される次世代パワー半導体デバイスが，製品としての存在感を増してきている。本書では，電気エネルギーの一層の有効利用実現に欠かすことのできないパワー半導体デバイス，特...
Author introduction：
- 岩室 憲幸 所属：筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授 経歴： 1962 年 東京都板橋区生まれ 1984 年 早稲田大学理工学部電気工学科卒。富士電機株式会社 入社 1988 年から シリコンIGBT、ダイオードならびにSiC デバイス の研究開発、製品化に従事 1992-93 年 米国N...
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Table of Contents
目次
第１章 パワーエレクトロニクスならびにパワー半導体デバイス
１.１ はじめに
１.２ インバータ回路の種類
１.３ パワー半導体デバイスの役割とその課題
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Paper- Call No.：
- G-5498-ｲ
- Book Registration Number：
- 145229100
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- Material Type
- 図書
- ISBN
- 978-4-910558-26-4
- Title Transcription
- パワエレ ギジュツシャ ノ タメ ノ エスアイシー パワー ハンドウタイ デバイス
- Author/Editor
- 岩室憲幸 著
- Series Title
- Author Heading
- 著者 ： 岩室, 憲幸, 1962- イワムロ, ノリユキ, 1962- ( 001122443 )Authorities
- Publication, Distribution, etc.
- Publication Date
- 2024.2
- Publication Date (W3CDTF)
- 2024