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超LSI共同研究所とその波及 : 日本半導体製造装置・材料を世界一にしたプロジェクト

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超LSI共同研究所とその波及 : 日本半導体製造装置・材料を世界一にしたプロジェクト

国立国会図書館請求記号
ND386-R14
国立国会図書館書誌ID
033995507
資料種別
図書
著者
垂井康夫 監修ほか
出版者
丸善プラネット
出版年
2025.3
資料形態
ページ数・大きさ等
243p ; 21cm
NDC
549.7
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資料に関する注記

一般注記:

奥付のタイトル関連情報(誤植): 日本半導体製造装置・技術を世界一にしたプロジェクト

資料詳細

要約等:

超LSI研究所は1976年に設立された官民合同の技術研究組合で、競合会社(富士通、日立、三菱、日電、東芝)の技術者が共同研究する事は世界初の試みである。僅か四年の期間ではあったが、多大な成果を主に、基礎的共通的な製造装置の開発で上げ、日本が1980年代初期の半導体世界精算シェアの第一位に上り詰めるの...

著者紹介:

垂井 康夫 1929年に東京市小石川で生まれ、1951年に早稲田大学第一理工学部電気工学科を卒業して工業技術院電気試験所に入所した。1958年にバイポーラトランジスタと電界効果トランジスタを一体化した一種の集積回路の特許を申請し、1961年1月21日に傳田精一のグループと共に日本で最初の集積回路を完...

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目次

提供元:出版情報登録センター(JPRO)ヘルプページへのリンク
  • はしがき(超LSI共同研究所元所長 垂井康夫)

  • 「寄稿」超LSI共同研究所時代の社会実態と今日における人材育成の重要性(田島節子)

  • 序論―日本の半導体は世界シェア50%を得た後、なぜ下降を辿ったのか(垂井康夫)

  • 1章 超LSI 共同研究所の設立前夜とその成果(垂井康夫)

  • 2章 電子線源と電子光学系(中筋護)

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資料種別
図書
ISBN
978-4-86345-578-8
タイトルよみ
チョウエルエスアイ キョウドウ ケンキュウジョ ト ソノ ハキュウ : ニホン ハンドウタイ セイゾウ ソウチ ザイリョウ オ セカイイチ ニ シタ プロジェクト
著者・編者
垂井康夫 監修
超LSI共同研究所元所員 著
著者標目
監修者 : 垂井, 康夫, 1929- タルイ, ヤスオ, 1929- ( 00082811 )典拠
出版年月日等
2025.3
出版年(W3CDTF)
2025
数量
243p