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図書

次世代パワー半導体の熱設計と実装技術 普及版 (TECHNICAL LIBRARY. エレクトロニクスシリーズ)

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次世代パワー半導体の熱設計と実装技術 = Thermal Design and Packaging Technology for WBG Power Semiconductors

普及版

(TECHNICAL LIBRARY. エレクトロニクスシリーズ)

国立国会図書館請求記号
ND371-R51
国立国会図書館書誌ID
034479906
資料種別
図書
著者
菅沼克昭 監修
出版者
シーエムシー出版
出版年
2026.1
資料形態
ページ数・大きさ等
304p ; 26cm
NDC
549.8
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資料詳細

要約等:

SiCやGaNなどWBGパワー半導体の高温・高速・高耐圧動作を支える熱設計技術を解説し、EV向け車載パワーモジュールの高出力密度化に迫る1冊。(提供元: 出版情報登録センター(JPRO))

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目次

提供元:出版情報登録センター(JPRO)ヘルプページへのリンク
  • 第1章 実装技術の現状と展望

  • 1 パワーデバイス高性能化の最前線と今後の展望

  • 1.1 はじめに

  • 1.2 SiC

  • 1.3 RC-IGBT

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書誌情報

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資料種別
図書
ISBN
978-4-7813-1850-9
タイトルよみ
ジセダイ パワー ハンドウタイ ノ ネツセッケイ ト ジッソウ ギジュツ
著者・編者
菅沼克昭 監修
普及版
著者標目
監修者 : 菅沼, 克昭, 1955- スガヌマ, カツアキ, 1955- ( 00851045 )典拠
出版年月日等
2026.1