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次世代パワー半導体の熱設計と実装技術 普及版 (TECHNICAL LIBRARY. エレクトロニクスシリーズ)

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次世代パワー半導体の熱設計と実装技術 = Thermal Design and Packaging Technology for WBG Power Semiconductors

普及版

(TECHNICAL LIBRARY. エレクトロニクスシリーズ)

国立国会図書館請求記号
ND371-R51
国立国会図書館書誌ID
034479906
資料種別
図書
著者
菅沼克昭 監修
出版者
シーエムシー出版
出版年
2026.1
資料形態
ページ数・大きさ等
304p ; 26cm
NDC
549.8
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資料詳細

要約等:

SiCやGaNなどWBGパワー半導体の高温・高速・高耐圧動作を支える熱設計技術を解説し、EV向け車載パワーモジュールの高出力密度化に迫る1冊。(提供元: 出版情報登録センター(JPRO))

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目次

提供元:出版情報登録センター(JPRO)ヘルプページへのリンク
  • 第1章 実装技術の現状と展望

  • 1 パワーデバイス高性能化の最前線と今後の展望

  • 1.1 はじめに

  • 1.2 SiC

  • 1.3 RC-IGBT

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資料種別
図書
ISBN
978-4-7813-1850-9
タイトルよみ
ジセダイ パワー ハンドウタイ ノ ネツセッケイ ト ジッソウ ギジュツ
著者・編者
菅沼克昭 監修
普及版
著者標目
監修者 : 菅沼, 克昭, 1955- スガヌマ, カツアキ, 1955- ( 00851045 )典拠
出版年月日等
2026.1
出版年(W3CDTF)
2026
数量
304p
大きさ
26cm
並列タイトル等
Thermal Design and Packaging Technology for WBG Power Semiconductors
出版地(国名コード)
JP
本文の言語コード
jpn
表現種別
テキスト
機器種別
機器不用
キャリア種別
冊子
件名標目
パワーデバイス パワー デバイス ( 001273066 )典拠
NDLC
対象利用者
一般
入手条件・定価
5700円
所蔵機関
国立国会図書館
請求記号
ND371-R51
連携機関・データベース
国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
書誌ID(NDLBibID)
034479906
全国書誌番号
24213706
トーハンMARC番号
34822970
目録規則
日本目録規則2018年版
整理区分コード
111