半導体の酸化機構と酸化膜

• 資料種別: 図書
• ISBN: 978-4-7649-0779-9
• タイトル: 半導体の酸化機構と酸化膜
• タイトルよみ: ハンドウタイ ノ サンカ キコウ ト サンカマク
• 著者・編者: 応用物理学会半導体分野将来基金委員会 編
• シリーズタイトル: New paradigm! on-demand publishing
• 著者標目: 編者 ： 応用物理学会 オウヨウ ブツリ ガッカイ ( 00281497 )典拠
• 出版事項: [東京] : 近代科学社Digital (出版); 東京 : 近代科学社 (頒布)
• 出版年月日等: 2026.2
• 出版年（W3CDTF）: 2026
• 数量: 402 p
• 大きさ: 26 cm
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 表現種別: テキスト
• 機器種別: 機器不用
• キャリア種別: 冊子
• 件名標目: 半導体 ハンドウタイ ( 00562913 )典拠; 酸化 サンカ ( 00570145 )典拠
• NDC10版: 549.8 : 電子工学
• NDLC: ND371
• 対象利用者: 一般
• 書誌注記: 文献あり
• 入手条件・定価: 5800円
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: ND371-R54
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 034599433; http://id.ndl.go.jp/bib/034599433
• 全国書誌番号: 24246224
• 目録規則: 日本目録規則2018年版
• 整理区分コード: 111

• 要約等: 酸化は、半導体デバイスにおいて最も重要な技術の一つです。本書は、主にSiおよびSiCの酸化機構、さらにそれによって形成されたSiO2と界面の特徴について、酸化に伴って起こる様々な現象の物理的理解に関する議論と、さらにその理解に基づいて課題をどのように克服したらよいのかという議論から構成されています。半導体デバイスをこれから学ぼうとする方はもちろん、すでに本分野の研究活動にたずさわっている方、また本領域を専門としない半導体技術のプロの方にも，酸化の奥深さと面白さを味わっていただくことができます。
• 一般注記（コンテンツ）: 電子書籍
• 製作者: 近代科学社Digital
• 製作年: 2026-02-27
• 記録形式: EPUB; フィックス
• 連携機関・データベース: 出版情報登録センター : 出版情報登録センター（JPRO）; https://jpro2.jpo.or.jp/
• JP-eコード: 7649077911000000000j

• 著者紹介: 公益社団法人 応用物理学会 半導体分野将来基金委員会 公益社団法人 応用物理学会 半導体分野将来基金委員会（提供元: 出版情報登録センター（JPRO））

目次

第1部 序論

第1章 Siの熱酸化機構とSiO2特性

第2部 ゲートスタック

第2章 絶縁特性高信頼化とともに進む熱酸化技術―物理的理解と信頼性―

第3章 SiC MOS