半導体の酸化機構と酸化膜

• Material Type: 図書
• ISBN: 978-4-7649-0779-9
• Title: 半導体の酸化機構と酸化膜
• Title Transcription: ハンドウタイ ノ サンカ キコウ ト サンカマク
• Author/Editor: 応用物理学会半導体分野将来基金委員会 編
• Series Title: New paradigm! on-demand publishing
• Author Heading: 編者 ： 応用物理学会 オウヨウ ブツリ ガッカイ ( 00281497 )Authorities
• Publication, Distribution, etc.: [東京] : 近代科学社Digital (出版); 東京 : 近代科学社 (頒布)
• Publication Date: 2026.2
• Publication Date (W3CDTF): 2026
• Extent: 402 p
• Size: 26 cm
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: jpn
• Content Type: テキスト
• Media Type: 機器不用
• Carrier Type: 冊子
• Subject Heading: 半導体 ハンドウタイ ( 00562913 )Authorities; 酸化 サンカ ( 00570145 )Authorities
• NDC 10th ed.: 549.8 : Electronic engineering
• NDLC: ND371
• Target Audience: 一般
• Note (Bibliography): 文献あり
• Price: 5800円
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: ND371-R54
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 034599433; http://id.ndl.go.jp/bib/034599433
• National Bibliography No. (JPNO): 24246224
• Cataloging Rule: Nippon Cataloging Rules 2018 Edition
• Bibliographic Record Category (NDL): 111

• Summary, etc.: 酸化は、半導体デバイスにおいて最も重要な技術の一つです。本書は、主にSiおよびSiCの酸化機構、さらにそれによって形成されたSiO2と界面の特徴について、酸化に伴って起こる様々な現象の物理的理解に関する議論と、さらにその理解に基づいて課題をどのように克服したらよいのかという議論から構成されています。半導体デバイスをこれから学ぼうとする方はもちろん、すでに本分野の研究活動にたずさわっている方、また本領域を専門としない半導体技術のプロの方にも，酸化の奥深さと面白さを味わっていただくことができます。
• Note (Production): 電子書籍
• Producer: 近代科学社Digital
• Production year: 2026-02-27
• Format: EPUB; フィックス
• Data Provider (Database): 出版情報登録センター : 出版情報登録センター（JPRO）; https://jpro2.jpo.or.jp/
• JP-e Code: 7649077911000000000j

• Author introduction: 公益社団法人 応用物理学会 半導体分野将来基金委員会 公益社団法人 応用物理学会 半導体分野将来基金委員会(Provided by: 出版情報登録センター（JPRO）)

Table of Contents

第1部 序論

第1章 Siの熱酸化機構とSiO2特性

第2部 ゲートスタック

第2章 絶縁特性高信頼化とともに進む熱酸化技術―物理的理解と信頼性―

第3章 SiC MOS