ひずみヘテロ接合を用いたSi系デバイスに電子線照射が及ぼす電気的特性の劣化とその耐性向上に関する研究

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: ひずみヘテロ接合を用いたSi系デバイスに電子線照射が及ぼす電気的特性の劣化とその耐性向上に関する研究
• 著者・編者: 中島, 敏之
• 著者標目: 中島, 敏之
• 出版年月日等: 2013-09-20
• 出版年（W3CDTF）: 2013-09-20
• 授与機関名: 宮崎大学
• 授与年月日: 2013-09-20
• 授与年月日（W3CDTF）: 2013-09-20
• 報告番号: 農工総博甲第64号
• 学位: 博士(工学)
• 博論授与番号: 甲第64号
• 本文の言語コード: jpn
• 著者別名: Nakashima, Toshiyuki
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 2013年度
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/10342004; https://dl.ndl.go.jp/pid/10342004
• コレクション（共通）: 障害者向け資料
• コレクション（障害者向け資料：レベル1）: テキストデータ
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
• 収集根拠: 博士論文（自動収集）
• 受理日（W3CDTF）: 2017-05-02T23:17:13+09:00
• 作成日（W3CDTF）: 2020-06-21
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• オンライン閲覧公開範囲: 国立国会図書館内限定公開
• デジタル化資料送信: 図書館・個人送信対象外
• 遠隔複写可否（NDL）: 可
• 掲載誌（URI）: http://hdl.handle.net/10458/4803
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

目次

2022-02-06 再収集

2022-02-06 再収集

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2023-12-15 再収集

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