ひずみヘテロ接合を用いたSi系デバイスに電子線照射が及ぼす電気的特性の劣化とその耐性向上に関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: ひずみヘテロ接合を用いたSi系デバイスに電子線照射が及ぼす電気的特性の劣化とその耐性向上に関する研究
• Author/Editor: 中島, 敏之
• Author Heading: 中島, 敏之
• Publication Date: 2013-09-20
• Publication Date (W3CDTF): 2013-09-20
• Degree grantor/type: 宮崎大学
• Date Granted: 2013-09-20
• Date Granted (W3CDTF): 2013-09-20
• Dissertation Number: 農工総博甲第64号
• Degree Type: 博士(工学)
• Conferring No. (Dissertation): 甲第64号
• Text Language Code: jpn
• Alias of Author: Nakashima, Toshiyuki
• Target Audience: 一般
• Note (General): 2013年度
• Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/10342004; https://dl.ndl.go.jp/pid/10342004
• Collection: 障害者向け資料
• Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
• Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
• Acquisition Basis: 博士論文（自動収集）
• Date Accepted (W3CDTF): 2017-05-02T23:17:13+09:00
• Date Created (W3CDTF): 2020-06-21
• Format (IMT): application/pdf
• Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
• Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
• Availability of remote photoduplication service: 可
• Periodical Title (URI): http://hdl.handle.net/10458/4803
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

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2022-02-06 再収集

2022-02-06 再収集

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2023-12-15 再収集

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