B24-071 Low Dielectric-constant (k<2.5) Silica with Nano-scale Pores for Copper Interconnects

• 資料種別: 記事
• タイトル: B24-071 Low Dielectric-constant (k<2.5) Silica with Nano-scale Pores for Copper Interconnects
• 著者・編者: Kobayashi,Nobuyoshi
• 出版事項: 日本 : 日本機械学会
• 出版年月日等: 2003-11-30
• 出版年（W3CDTF）: 2003-11-30
• タイトル（掲載誌）: International Symposium on Micro-Mechanical Engineering : ISMME
• 巻号年月日等（掲載誌）: 2003
• 掲載巻: 2003
• 掲載ページ: 423-426
• 本文の言語コード: ENG
• 件名標目: carbon-doped silica; modulus; pore; CMP; Cu
• 一般注記: 著者所属: Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc.
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/10351120; https://dl.ndl.go.jp/pid/10351120
• コレクション（共通）: 障害者向け資料
• コレクション（障害者向け資料：レベル1）: テキストデータ
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > 学術機関 > 学協会; https://dl.ndl.go.jp/collections/B00043
• 収集根拠: NII-ELS
• 公開開始日（W3CDTF）: 2017-06-22
• 受理日（W3CDTF）: 2017-05-19
• 保存日（W3CDTF）: 2017-05-19
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 遠隔複写可否（NDL）: 不可
• 掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/10356269; https://dl.ndl.go.jp/pid/10356269
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

• 要約等: The mechanical properties of cabon-doped silica (MSQ) with various content of nano-scale pores are systematically investigated for Cu interconnect app...