Study on density of states in In-X-Zn-O (X=Sn, Ga) semiconductors and defect passivation methods for highly reliable thin-film transistors

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: Study on density of states in In-X-Zn-O (X=Sn, Ga) semiconductors and defect passivation methods for highly reliable thin-film transistors
• 著者・編者: JIANG, Jingxin
• 著者標目: JIANG, Jingxin
• 出版事項: 高知工科大学
• 出版年月日等: 2015-03
• 出版年（W3CDTF）: 2015-03
• 並列タイトル等: n-Ga-Zn-O酸化物半導体の欠陥準位が電気特性に及ぼす影響と欠陥不活性化プロセスによる薄膜トランジスタの高信頼性化に関する研究
• 寄与者: 古田 守
• 授与機関名: 高知工科大学
• 授与年月日: 2015-03-20
• 授与年月日（W3CDTF）: 2015-03-20
• 報告番号: 甲第272号
• 学位: 博士（工学）
• 博論授与番号: 甲第272号
• 本文の言語コード: eng
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: identifier:高知工科大学, 博士論文.
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/10370237; https://dl.ndl.go.jp/pid/10370237
• コレクション（共通）: 障害者向け資料
• コレクション（障害者向け資料：レベル1）: テキストデータ
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
• 収集根拠: 博士論文（自動収集）
• 受理日（W3CDTF）: 2017-07-03T04:10:06+09:00
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• オンライン閲覧公開範囲: 国立国会図書館内限定公開
• デジタル化資料送信: 図書館・個人送信対象外
• 遠隔複写可否（NDL）: 可
• 掲載誌（URI）: http://hdl.handle.net/10173/1278
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

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2019-05-06 再収集

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