Study on density of states in In-X-Zn-O (X=Sn, Ga) semiconductors and defect passivation methods for highly reliable thin-film transistors

• Material Type: 博士論文
• Title: Study on density of states in In-X-Zn-O (X=Sn, Ga) semiconductors and defect passivation methods for highly reliable thin-film transistors
• Author/Editor: JIANG, Jingxin
• Author Heading: JIANG, Jingxin
• Publication, Distribution, etc.: 高知工科大学
• Publication Date: 2015-03
• Publication Date (W3CDTF): 2015-03
• Alternative Title: n-Ga-Zn-O酸化物半導体の欠陥準位が電気特性に及ぼす影響と欠陥不活性化プロセスによる薄膜トランジスタの高信頼性化に関する研究
• Contributor: 古田 守
• Degree Grantor: 高知工科大学
• Date Granted: 2015-03-20
• Date Granted (W3CDTF): 2015-03-20
• Dissertation Number: 甲第272号
• Degree Type: 博士（工学）
• Conferring No. (Dissertation): 甲第272号
• Text Language Code: eng
• Target Audience: 一般
• Note (General): identifier:高知工科大学, 博士論文.
• Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/10370237; https://dl.ndl.go.jp/pid/10370237
• Collection: 障害者向け資料
• Collection (Materials For Handicapped People:1): テキストデータ
• Collection (particular): 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
• Acquisition Basis: 博士論文（自動収集）
• Date Accepted (W3CDTF): 2017-07-03T04:10:06+09:00
• Format (IMT): application/pdf
• Access Restrictions: 国立国会図書館内限定公開
• Service for the Digitized Contents Transmission Service: 図書館・個人送信対象外
• Availability of remote photoduplication service: 可
• Periodical Title (URI): http://hdl.handle.net/10173/1278
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

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2019-05-06 再収集

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