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巻号19
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26aB03 表面波励起H_2/SiH_4プラズマによる高速・大面積シリコン薄膜形成(プラズマ基礎・応用I)

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26aB03 表面波励起H_2/SiH_4プラズマによる高速・大面積シリコン薄膜形成(プラズマ基礎・応用I)

国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/10461050
資料種別
記事
著者
宗宮,暁ほか
出版者
プラズマ・核融合学会
出版年
2002-11-20
資料形態
デジタル
掲載誌名
プラズマ・核融合学会年会予稿集 (19)
掲載ページ
p.65
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資料に関する注記

一般注記:

著者所属: 名古屋大学工学研究科Affiliation: Department of Electrical Eng., Nagoya Universityレポート・講演番号: 26aB03

書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
宗宮,暁
豊田,浩孝
菅井,秀郎
出版年月日等
2002-11-20
出版年(W3CDTF)
2002-11-20
並列タイトル等
26aB03 High Rate and Large Area Deposition of Silicon Thin Films by Surface-wave Excited SiH_4/H_2 Plasma
タイトル(掲載誌)
プラズマ・核融合学会年会予稿集
巻号年月日等(掲載誌)
(19)
掲載巻
(19)