Reactive Ion Etching Characteristics of Permalloy Thin Films

• 資料種別: 記事
• タイトル: Reactive Ion Etching Characteristics of Permalloy Thin Films
• 著者・編者: Kim,S. D.; Lee,J. J.; Lim,S. H.; Kim,H. J.
• 出版事項: 日本 : 日本応用磁気学会
• 出版年月日等: 1999-01-20
• 出版年（W3CDTF）: 1999-01-20
• タイトル（掲載誌）: 日本応用磁気学会誌
• 巻号年月日等（掲載誌）: 23(1-2)
• 掲載巻: 23(1-2)
• 掲載ページ: 252-254
• 本文の言語コード: ENG
• 件名標目: reactive ion etching; permalloy thin films; etching rate; etching damage; coercivity
• 一般注記: 著者所属: Dept. of Metallurgical Engineering, Seoul National University; 著者所属: Thin Film Technology Research Center, Korea Institute of Science and Technology
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/10464247; https://dl.ndl.go.jp/pid/10464247
• コレクション（共通）: 障害者向け資料
• コレクション（障害者向け資料：レベル1）: テキストデータ
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > 学術機関 > 学協会; https://dl.ndl.go.jp/collections/B00043
• 収集根拠: NII-ELS
• 公開開始日（W3CDTF）: 2017-08-23
• 受理日（W3CDTF）: 2017-08-15
• 保存日（W3CDTF）: 2017-08-15
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 遠隔複写可否（NDL）: 不可
• 掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/10389056; https://dl.ndl.go.jp/pid/10389056
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

• 要約等: Permalloy thin film were reactive ion etched using CO and NH_3 gases. The dependence of etching rate on various etching conditions (e.g. gas flow rate...