ウルツ鉱型(Ga,Mn)N膜の成長と物性

• 資料種別: 記事
• タイトル: ウルツ鉱型(Ga,Mn)N膜の成長と物性
• 著者・編者: 園田,早紀
• 出版事項: 日本 : 日本応用磁気学会
• 出版年月日等: 2003-01-01
• 出版年（W3CDTF）: 2003-01-01
• 並列タイトル等: Properties of Wurtzite (Ga, Mn)N
• タイトル（掲載誌）: 日本応用磁気学会誌
• 巻号年月日等（掲載誌）: 27(1)
• 掲載巻: 27(1)
• 掲載ページ: 28-33
• 本文の言語コード: JPN
• 著者別名: Sonoda,S.
• 件名標目: GaN; Mn; diluted magnetic semiconductor; ferromagnet; ammonia; molecular beam epitaxy
• 一般注記: 著者所属: (株)アルバック; Affiliation: ULVAC, Inc.
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/10466072; https://dl.ndl.go.jp/pid/10466072
• コレクション（共通）: 障害者向け資料
• コレクション（障害者向け資料：レベル1）: テキストデータ
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > 学術機関 > 学協会; https://dl.ndl.go.jp/collections/B00043
• 収集根拠: NII-ELS
• 公開開始日（W3CDTF）: 2017-08-23
• 受理日（W3CDTF）: 2017-08-15
• 保存日（W3CDTF）: 2017-08-15
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 遠隔複写可否（NDL）: 不可
• 掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/10389107; https://dl.ndl.go.jp/pid/10389107
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

• 要約等: GaN, one of the best-known wide-band-gap semiconductors, is a promising material for optical and electronic devices. In the field of spintronics, wide...