Modification of the Drain Current on a Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Ferrite Gate Oxide

• 資料種別: 記事
• タイトル: Modification of the Drain Current on a Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Ferrite Gate Oxide
• タイトルよみ: Modification of the Drain Current on a Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Ferrite Gate Oxide
• 著者・編者: Wakiya,N.; Wada,H.; Shimizu,K.; Mizukami,S.; Machi,M.; Mizutani,N.; Shinozaki,K.
• 出版事項: 日本 : 日本応用磁気学会
• 出版年月日等: 2006-03-01
• 出版年（W3CDTF）: 2006-03-01
• タイトル（掲載誌）: 日本応用磁気学会誌
• 巻号年月日等（掲載誌）: 30(2)
• 掲載巻: 30(2)
• 掲載ページ: 61-64
• 本文の言語コード: ENG
• 件名標目: metal-oxide-semiconductor field-effect transistor; modification of drain current; ferrite thin film; fabrication process; epitaxial growth; novel magnetic recording
• 一般注記: 著者所属: Department of Metallurgy and Ceramics Science, Tokyo Institute of Technology
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/10467300; https://dl.ndl.go.jp/pid/10467300
• コレクション（共通）: 障害者向け資料
• コレクション（障害者向け資料：レベル1）: テキストデータ
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > 学術機関 > 学協会; https://dl.ndl.go.jp/collections/B00043
• 収集根拠: NII-ELS
• 公開開始日（W3CDTF）: 2017-08-23
• 受理日（W3CDTF）: 2017-08-15
• 保存日（W3CDTF）: 2017-08-15
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 遠隔複写可否（NDL）: 不可
• 掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/10389144; https://dl.ndl.go.jp/pid/10389144
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

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