Study on Reaction Mechanism of Aluminum Selective Chemical Vapor Deposition with In-situ XPS Measurement : Etching and Deposition Technology

• 資料種別: 記事
• タイトル: Study on Reaction Mechanism of Aluminum Selective Chemical Vapor Deposition with In-situ XPS Measurement : Etching and Deposition Technology
• 著者・編者: KAWAMOTO,Hideaki; SAKAUE,Hiroyuki; TAKEHIRO,Shinobu; HORIIKE,Yasuhiro
• 出版事項: 日本 : Japanese Journal of Applied Physics
• 出版年月日等: 1991-01-31
• 出版年（W3CDTF）: 1991-01-31
• タイトル（掲載誌）: JJAP series
• 巻号年月日等（掲載誌）: 4
• 掲載巻: 4
• 掲載ページ: 218-222
• 本文の言語コード: ENG
• 件名標目: aluminum; CVD; reaction mechanism; in-situ XPS; hydrogen termination
• 一般注記: 著者所属: Department of Electrical engineering, Hiroshima University
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/10472332; https://dl.ndl.go.jp/pid/10472332
• コレクション（共通）: 障害者向け資料
• コレクション（障害者向け資料：レベル1）: テキストデータ
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > 学術機関 > 学協会; https://dl.ndl.go.jp/collections/B00043
• 収集根拠: NII-ELS
• 公開開始日（W3CDTF）: 2017-08-23
• 受理日（W3CDTF）: 2017-08-15
• 保存日（W3CDTF）: 2017-08-15
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 遠隔複写可否（NDL）: 不可
• 掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/10389309; https://dl.ndl.go.jp/pid/10389309
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

• 要約等: Aluminum (Al) films have been deposited selectively on Si at a substrate temperature from 270 to 330℃ under 1×10^<-3> Torr employing dimethylaluminum ...