Electronic States of Si(001) Stepped Surface

• 資料種別: 記事
• タイトル: Electronic States of Si(001) Stepped Surface
• 著者・編者: YAMAGUCHI,Tsuyoshi
• 出版事項: 日本 : Progress of Theoretical Physics
• 出版年月日等: 1992-02-25
• 出版年（W3CDTF）: 1992-02-25
• タイトル（掲載誌）: Progress of theoretical physics. Supplement
• 巻号年月日等（掲載誌）: (106)
• 掲載巻: (106)
• 掲載ページ: 281-294
• 本文の言語コード: ENG
• 一般注記: 著者所属: Faculty of Engineering, Shizuoka University
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/10883723; https://dl.ndl.go.jp/pid/10883723
• コレクション（共通）: 障害者向け資料
• コレクション（障害者向け資料：レベル1）: テキストデータ
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > 学術機関 > 学協会; https://dl.ndl.go.jp/collections/B00043
• 収集根拠: NII-ELS
• 公開開始日（W3CDTF）: 2017-08-30
• 受理日（W3CDTF）: 2017-08-22
• 保存日（W3CDTF）: 2017-08-22
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 遠隔複写可否（NDL）: 不可
• 掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/10399151; https://dl.ndl.go.jp/pid/10399151
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

• 要約等: Electronic states of the unreconstructed S_b, reconstructed S_b, unreconstructed S_a and buckled S_a steps on the Si(001) surface are calculated by th...