Study on the charge trapping phenomena in silicon carbonitride films for nonvolatile semiconductor memory applications

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: Study on the charge trapping phenomena in silicon carbonitride films for nonvolatile semiconductor memory applications
• 著者・編者: Ahmed Sheikh Rashel Al
• 著者標目: Ahmed Sheikh Rashel Al
• 出版事項: 東海大学
• 出版年月日等: 2017-09-21
• 出版年（W3CDTF）: 2017-09-21
• 並列タイトル等: 不揮発性半導体メモリへの応用のためのシリコン炭窒化膜の電荷捕獲現象に関する研究; フキハツセイ ハンドウタイ メモリ エノ オウヨウ ノ タメノ シリコン タンチッカマク ノ デンカ ホカク ゲンショウ ニ カンスル ケンキュウ
• 授与機関名: 東海大学
• 授与年月日: 2017-09-21
• 授与年月日（W3CDTF）: 2017-09-21
• 報告番号: 甲第1035号
• 学位: 博士(工学)
• 博論授与番号: 甲第1035号
• 本文の言語コード: eng
• 件名標目: nonvolatile memory; silicon carbonitride; charge centroid; charge retention; charge trap center; 不揮発性メモリ; シリコン炭窒化膜; 電荷重心; 電荷保持特性; 電荷捕獲中心
• 対象利用者: 一般
• 国立国会図書館永続的識別子: info:ndljp/pid/10993893; https://dl.ndl.go.jp/pid/10993893
• コレクション（共通）: 障害者向け資料
• コレクション（障害者向け資料：レベル1）: テキストデータ
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00014
• 収集根拠: 博士論文（自動収集）
• 受理日（W3CDTF）: 2017-12-04T02:02:48+09:00
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• オンライン閲覧公開範囲: 国立国会図書館内限定公開
• デジタル化資料送信: 図書館・個人送信対象外
• 遠隔複写可否（NDL）: 可
• 掲載誌（URI）: https://opac.time.u-tokai.ac.jp/webopac/TD00000264
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館デジタルコレクション; https://dl.ndl.go.jp

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2023-12-08 再収集

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